§ 1. Кинетические явления в полупроводниках
а. Электропроводность
б. Эффект Холла
в. Изменение сопротивления в магнитном поле
г. Термоэдс
д. Эффект Томсона
е. Эффект Пельтье
ж. Эффект Нернста — Эттингсгаузена
з. Эффект Риги — Ледюка
и. Продольные термомагнитные эффекты
§ 3. Элементарная теория гальваномагнитных явлений
а. Тензор электропроводности в магнитном поле
б. Угол Холла и постоянная Холла
в. Магнетосопротивление
а. Эффект Холла
б. Магнетосопротивление
§ 5. Некоторые экспериментальные результаты
а. Электронная и дырочная проводимость
б. Собственная и примесная проводимость
в. Запрещенная энергетическая зона
г. Удельная электропроводность
д. Подвижности
е. Собственная концентрация электронов
ж. Магнетосопротивление
§ 2. Электронная конфигурация атомов
а. Ионная связь
б. Гомеополярная связь
в. Ван-дер-ваальсовская связь
§ 4. Строение некоторых полупроводниковых кристаллов
а. Ионные кристаллы
б. Гомеополярные кристаллы
в. Кристаллы со смешанными связями
§ 5. Некристаллические полупроводники
а. Аморфные полупроводники
б. Жидкие полупроводники
в. Стеклообразные полупроводники
§ 7. Полупроводниковые свойства и химическая связь
§ 8. Полупроводники с малой подвижностью
§ 2. Волновая функция электрона в периодическом поле
§ 5. Метод сильно связанных электронов
§ 1. Средние значения скорости и ускорения электрона в кристаллической решетке
§ 6. Движение и энергетический спектр носителей заряда в постоянном электрическом поле
§ 2. Распределение квантовых состояний в зонах
§ 3. Распределение Ферми — Дирака
§ 4. Концентрации электронов и дырок в зонах
§ 5. Невырожденные полупроводники
§ 6. Случай сильного вырождения
§ 7. Эффективная масса плотности состояний
§ 8. Плотность состояний в квантующем магнитном поле
§ 9. Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях. Простые центры
§ 13. Определение положения уровня Ферми
§ 14. Уровень Ферми в собственном полупроводнике
§ 15. Полупроводник с примесью одного типа
§ 16. Взаимная компенсация доноров и акцепторов
§ 17. Компенсированные полупроводники
§ 18. Определение энергетических уровней примесных атомов
а. Многозарядные акцепторы в полупроводнике п-типа
б. Многозарядные акцепторы в полупроводнике р-типа
в. Многозарядные доноры в полупроводнике п-типа
г. Многозарядные доноры в полупроводнике р-типа
§ 2. Плотность тока. Соотношение Эйнштейна
§ 3. Условия равновесия контактирующих тел
§ 4. Термоэлектронная работа выхода
§ 5. Контактная разность потенциалов
§ 6. Распределение концентрации электронов и потенциала в слое объемного заряда
§ 8. Обогащенный контактный слой в отсутствие тока
§ 9. Истощенный контактный слой
§ 10. Токи, ограниченные пространственным зарядом
§ 1. Неравновесные носители заряда
§ 2. Время жизни неравновесных носителей заряда
§ 6. Электронно-дырочные переходы
§ 7. Обнаружение неравновесных носителей заряда
§ 1. Статическая вольтамперная характеристика p-n-перехода
§ 2. p-n-переход при переменном напряжении
§ 3. Туннельный эффект в p-n-переходах. Туннельные диоды
§ 1. Различные типы процессов рекомбинации
§ 2. Темп рекомбинации зона-зона
§ 3. Время жизни при излучательной рекомбинации
§ 4. Рекомбинация через примеси и дефекты
а. Монополярное возбуждение
б. Биполярное возбуждение
§ 1. Происхождение поверхностных состояний
§ 2. Влияние поверхностного потенциала на электропроводность
§ 4. Некоторые эффекты, связанные с поверхностными состояниями
§ 5. Скорость поверхностной рекомбинации
§ 6. Влияние поверхностной рекомбинации на фотопроводимость
а. Стационарная фотопроводимость при объемной однородной генерации
б. Стационарная фотопроводимость при поверхностной генерации
§ 7. Затухание фотопроводимости в тонких пластинках и нитевидных образцах
§ 8. Зависимость поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала
§ 1. Роль неосновных носителей
§ 3. Частоты нормальных колебаний. Акустические и оптические ветви
§ 1. Феноменологические соотношения
а. Носители заряда в постоянном и однородном слабом электрическом поле
б. Носители заряда в постоянном и однородном слабом температурном поле
в. Носители заряда в постоянных и однородных электрическом и магнитном полях
§ 2. Кинетические коэффициенты и функция распределения
§ 4. Термодинамическое равновесие. Принцип детального равновесия
§ 5. Малые отклонения от равновесия
а. Статическая электропроводность
б. Термоэдс и коэффициент Пельтье
в. Постоянная Холла и магнетосопротивление
§ 1. Постановка задачи. Теория возмущений
§ 2. Вероятность перехода. Условие применимости кинетического уравнения
§ 3. Энергия взаимодействия носителей заряда с фононами
а. Общие соображения
б. Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами; метод потенциала деформации
в. Взаимодействие носителей заряда с оптическими фононами в гомеополярном кристалле; метод потенциала деформации
г. Взаимодействие носителей заряда с оптическими фононами в гетерополярном кристалле
д. Взаимодействие носителей заряда с пьезоэлектрическими колебаниями решетки
е. Сводка формул
§ 4. Рассеяние носителей заряда фононами
§ 5. Рассеяние носителей заряда примесными атомами
§ 6. Подвижность, холл-фактор и термоэдс при различных механизмах рассеяния
§ 1. Предварительные замечания
§ 2. Взаимодействие упругих волн с электронами проводимости
§ 3. Упругие волны в пьезодиэлектриках
§ 4. Упругие волны в пьезоэлектрических полупроводниках
§ 5. Электронное поглощение и усиление ультразвуковых волн
§ 6. Акусто-электрический эффект
§ 2. Симметричная и антисимметричная части функции распределения
§ 5. Роль неупругости рассеяния
§ 6. Зависимость подвижности и концентрации носителей заряда от напряженности поля
§ 7. Дифференциальная проводимость
§ 8. Флуктуационная неустойчивость
§ 1. Три вопроса к зонной теории
§ 2. Адиабатическое приближение
§ 3. Приближение малых колебаний
§ 4. Роль колебаний решетки. Полярон
§ 5. Метод самосогласованного поля
§ 6. Электроны и дырки как элементарные возбуждения многоэлектронной системы в полупроводнике
а. Решения, принадлежащие непрерывному спектру
б. Решения, принадлежащие дискретному спектру
§ 8. Мелкие локальные уровни при учете экранирования примесных центров
§ 1. Поглощение и испускание света полупроводниками. Феноменологические соотношения
а. Непоглощающая среда
б. Слабое поглощение волны достаточно большой частоты
§ 3. Поглощение и отражение электромагнитных волн газом свободных носителей заряда
§ 4. Коэффициенты поглощения и излучения при оптических переходах зона-зона
§ 5. Прямые и непрямые переходы
§ 7. Коэффициенты поглощения при прямых переходах. Комбинированная плотность состояний
§ 11. Модуляционная спектроскопия
а. Магнетоплазменные эффекты
б. Междузонные переходы в квантующем магнитном поле
§ 1. Примесные уровни и примесные зоны
§ 2. Особенности сильно легированных полупроводников
§ 5. Хвост плотности состояний
§ 6. Междузонные оптические переходы в сильно легированных полупроводниках
§ 7. Некристаллические полупроводники
I. К доказательству теоремы Блоха
II. Интегралы с функциями Блоха
III. Таблица значений интеграла Φ½
IV. Дельта-функция
V. Рекомбинация через многозарядные ловушки
VI. Интеграл поверхностной проводимости
VII. Диффузия неравновесных носителей заряда в магнитном поле
VIII. Вычисление суммы (ХП. 2.6)
IX. Вывод условия ортогональности (ХП. 2.11)
X. Переход от суммирования по дискретным компонентам квазиимпульса к интегрированию
XI. Гамильтониан взаимодействия электронов с акустическими фононами
XII. Потенциал заряженного центра при учете экранирования свободными носителями заряда
ХШ. Усреднение по координатам примесных атомов
XIV. Теорема об интеграле от периодической функции
XV. Интегралы с функцией Ферми в условиях сильного вырождения