Л. С. Стильбанс
Физика полупроводников

Предисловие

Оглавление

Глава первая. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Некоторые сведения о строении атома

1.2. Энергия и движение электрона в твердом теле

1.3. Электропроводность полупроводников

1.4. Теплопроводность полупроводников

1.5. Контактные явления

1.6. Термоэлектрические явления

1.7. Гальваномагнитные и термомагнитные явления

1.8. Фотопроводимость

Глава вторая. СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ

2.1. Некоторые вопросы квантовой теории

2.2. Геометрия кристаллической решетки

2.3. Дефекты в кристаллах

2.4. Тепловые колебания кристаллов

2.5. Теплоемкость

Глава третья. ОСНОВНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕОРИИ КРИСТАЛЛОВ

3.1. Адиабатическое приближение

3.2. Одноэлектронное приближение

3.3. Приближение почти свободных электронов

3.4. Приближение сильно связанных электронов

3.5. Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников

Глава четвертая. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

4.1. Некоторые понятия статистики и термодинамики

4.2. Распределение Ферми

4.3. Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках

4.4. Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение

Глава пятая. НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ТЕОРИИ ЯВЛЕНИЙ ПЕРЕНОСА

5.1. Элементарный расчет электропроводности и подвижности

5.2. Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации)

5.3. Феноменологический анализ явлений переноса

5.4. Вычисление времени релаксации

5.5. Явления в сильных электрических полях

Глава шестая. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ

6.1. Термоэлектродвижущая сила

6.2. Вывод коэффициента термо-э.д.с. из кинетического уравнения

6.3. Увлечение электронов фононами

6.4. Зависимость термо-э.д.с. от температуры и концентрации носителей

6.5. Электронная теплопроводность

6.6. Теплопроводность кристаллической решетки

6.7. Фотонная теплопроводность

Глава седьмая. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ

7.1. Общие сведения

7.2. Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле

7.3. Эффект Эттингсгаузена

7.4. Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях

7.5. Термомагнитные явления

Глава восьмая. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ

8.1. Особенности контактных явлений

8.2. Контакт полупроводника и металла

8.3. Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником)

8.4. Диодная теория Бете

8.5. Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки)

8.6. Теория p-n перехода

Глава девятая. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

9.1. Поглощение света

9.2. Фотопроводимость

9.3. Фотовольтаические эффекты

9.4. Циклотронный резонанс

9.5. Стимулированное излучение

Литература

Предметный указатель